Địa điểm: Trung tâm Nano và Năng lượng, Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, 334 Nguyễn Trãi, Thanh Xuân, Hà Nội

Tóm tắt chủ đề: Chủ đề pin năng lượng mặt trời tuy đã được bắt đầu từ lâu nhưng vẫn thu hút được sự quan tâm rất lớn từ cộng đồng nghiên cứu thế giới. Hiện nay các quy trình công nghệ chế tạo pin năng lượng mặt trời dựa trên các vật liệu phổ thông giá rẻ không gây độc hại môi trường đang thu hút sự chú ý. Pin năng lượng mặt trời dựa trên nền vật liệu CuFeO2 là một trong số đó. Với chủ đề này, học viên cao học sẽ tìm hiểu quá trình truyền hạt tải trong pin mặt trời CuFeO2 màng mỏng tiếp giáp dị thể. Mô phỏng quá trình truyền tải chính là tìm hiểu và giải các hệ phương trình đạo hàm riêng như Poisson, phương trình liên tục và phương trình khuyếch tán. Các thông số đầu vào về tính chất vật liệu, các điều kiện biên và điều kiện tạo hạt tải sẽ được lấy từ các kết quả thực nghiệm và mô phỏng khác của nhóm. Học viên cao học cần đưa ra được giới hạn hiệu suất lý thuyết tối ưu mà pin mặt trời loại này có thể đạt được đồng thời đưa ra được cấu trúc pin tối ưu tương ứng. Phụ thuộc vào kết quả thu được, học viên có thể được cử đi báo cáo tại các hội nghị khoa học toàn quốc hoặc quốc tế. Trong trường hợp học viên cao học tiến hành nghiên cứu khoa học toàn thời gian, nhóm nghiên cứu có thể tạo điều kiện có thêm phụ cấp nghiên cứu.

Liên lạc: TS. Nguyễn Trần Thuật, 0985516980, nguyentranthuat at hus.edu.vn